Растущая область оптоэлектронных устройств стимулирует разработку новых халькогенидов на основе щелочных металлов, свойства которых необходимо тщательно исследовать.
Потребность в эффективных оптоэлектронных устройствах растет, и вместе с этим растет и проблема открытия новых полупроводников с ценными свойствами. Это стимулировало значительные исследования в области синтеза и определения характеристик новых халькогенидов на основе щелочных металлов (АМ), включающих медь, серебро и щелочные металлы, с такими ценными свойствами, как гибкость, высокая термическая стабильность , полупроводимость и фотогальванические эффекты.
Вдохновленная растущим спросом на новые оптимальные полупроводниковые материалы, в EPJ B была опубликована новая статья , автором которой является Абдельмаджид Бухемаду, Лаборатория разработки новых материалов и их характеристик, факультет физики, Факультет естественных наук, Университет Ферхат Аббас Сетиф, Алжир, и его коллеги. -авторы подробно исследовали структурные, упругие, электронные и оптические свойства двух вновь синтезированных соединений, а именно Tl 2 CdGeSe 4 и Tl 2 CdSnSe 4 .
В статье авторы описывают опасения, связанные с халькогенидами на основе АМ, которые препятствуют технологическому применению, добавляя, что эти недостатки можно преодолеть с помощью соединений, содержащих таллий (Tl), включая Tl 2 CdGeSe 4 и Tl 2 CdSnSe 4 .
Исследователи объясняют, что Tl гораздо менее электроположителен, чем щелочные металлы ; электроотрицательность Tl намного выше, чем у любого щелочного металла. Это приводит к менее ионному характеру соединений на основе Tl, что может привести к низкому удельному электрическому сопротивлению и, следовательно, к более высокой подвижности носителей.
Tl также тяжелее любого стабильного щелочного металла, что означает, что он имеет низкую теплопроводность решетки, что улучшает физические свойства, требующие низкой теплопроводности решетки, такие как термоэлектрический КПД. Материалы, содержащие Tl, также имеют тенденцию быть менее чувствительными к воздуху и влаге, чем соединения на основе АМ. Эти и другие преимущества означают, что значительные исследования были посвящены изучению халькогенидов на основе Tl.
Авторы статьи говорят, что их исследование показало, что исследованные материалы демонстрируют высокое поглощение в энергетическом окне, включающем видимый спектр. Кроме того, оптимизированные структурные параметры Tl 2 CdGeSe 4 и Tl 2 CdSnSe 4 прекрасно согласуются с экспериментальными аналогами, что подтверждает надежность теоретического метода, используемого для предсказания физических свойств указанных в заголовке соединений.
Это показало, что исследуемые соединения являются мягкими, пластичными, механически прочными и существенно структурно и упруго анизотропными материалами.
Теги: микроэлектроника
