Компания Самсунг Electronics объявила о начале массового производства, по ее заявлению, первой в области 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5, которая оптимизирована для результативной работы функций с употреблением 5G и ИИ на будущих телефонах.
В конце июля Самсунг также хочет начать массовое производство 12-гигабитных планок памяти LPDDR5, каждая из которых будет объединять 8 чипов.
Ежели сравнивать новейшую память с прошлыми микросхемами LPDDR4X, выигрыш в производительности доходит 1,3 раза.
Чтобы еще больше укрепить свои позиции на мировом рынке памяти, Самсунг планирует в 2016 г. создать чипы LPDDR5 DRAM объемом 16 ГБ, которые, скорее итого, появятся во флагманских телефонах до конца будущего 2020. Новый стандарт имеет пропускную способность 5500 МБит/с, что на 30% выше характеристик предшественника (4266 Мбит/с).
Обеспечивая скорость передачи данных 5500 Мбит/c, 12-гигабитная LPDDR5 работает приблизительно в 1,3 раза скорее, чем мобильная память прошлого поколения (LPDDR4X, 4266 Мбит/с).
Производитель также заявляет, что новые модули оперативной памяти потребляют до 30% менее электрической энергии, это дает возможность смартфонам работать еще дольше без подзарядки. При всем этом за счет новых схемотехнических решений, усовершенствованной синхронизации и иных приемов достигается снижение энергопотребления (выигрыш может доходить до 30%).
Теги: Samsung
