Компания Самсунг Electronics объявила, что первой в ветви приступила к массовому производству «систем на чипе» (SoC) по 10-нанометровой технологии.
Новый техпроцесс использует передовую 3D-структуру транзисторов с рядом дополнительных улучшений в сравнении с 14-нм разработками. В сопоставлении с 14-нм техпроцессом, как объясняет Самсунг, новый 10-нм техпроцесс позволяет на 30% повысить эффективность использования площади процессора, на 27% поднять скорость переключения транзисторов, либо снизить энергопотребление на 40%. В новом процессоре используются новейшее техническое решение — тройное структурирование. Тройное структурирование обеспечивает двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге в сравнении с прошлыми моделями.
Напомним, в предстоящем году Самсунг и TSMC собираются запустить массовое производство чипов по 7-нм техпроцессу. 2-ое поколение (10LPP) будет владеть повышенной производительностью. Подобные планы были у Intel, но главный соперник корейского вендора перенес старт производства на 2017-й год.
В плотном сотрудничестве с партнерами Самсунг также хочет сделать функциональную полупроводниковую экосистему, которая объединит средства проверки эталонного потока, IP и библиотеки. На текущий момент доступен набор разработки производственного процесса (PDK) и набор разработки IP.
С начала 2016 года на рынке должен появиться новый флагманский смартфон Самсунг Galaxy S8, основанный на фирменной аппаратной платформе Самсунг Exynos 8895 либо чипсете Qualcomm Snapdragon 830. Планируется, что они будут доступны уже в течении 2017 года.
Теги: Samsung
