Исследователи из Национальной лаборатории Сандиа 13 июня 2026 года опубликовали работу, в которой описан полевой транзистор на основе гексагонального нитрида бора, сохраняющий работоспособность после облучения дозой в 100 мегарад. Это в 100 раз выше порога, при котором выходят из строя кремниевые транзисторы, и в 10 раз выше, чем у лучших радиационно-стойких аналогов на карбиде кремния.
Нитрид бора — слоистый материал с шириной запрещённой зоны около 6 электронвольт, что делает его прекрасным изолятором. Команда под руководством доктора Марии Торрес разработала метод легирования нитрида бора углеродом и кислородом, создав тонкий проводящий канал, способный переключаться под действием электрического поля. Полученный транзистор не деградирует даже при бомбардировке протонами с энергией 10 мегаэлектронвольт.
Радиационно-стойкая электроника — критическая потребность для космических аппаратов, спутников связи и детекторов на ускорителях. Современные спутники на геостационарной орбите за 15 лет службы набирают дозу около 1 мегарада, что уже требует специальных мер защиты. Новый транзистор сможет работать десятилетиями без экранирования, что снижает массу аппарата и стоимость его запуска. Первым практическим применением станет передатчик для межпланетной станции к Урану, запуск которой НАСА планирует на 2032 год.
